申请/专利权人：贵州森远增材制造科技有限公司;贵州省冶金化工研究所

申请日：2023-08-11

公开（公告）日：2023-11-03

公开（公告）号：CN116987314A

主分类号：C08J7/12

分类号：C08J7/12;C08L77/00;B29C64/153;B29C64/371;B29C64/379;B33Y10/00;B33Y40/20;B33Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.21#实质审查的生效;2023.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法，以SLS尼龙制件、叔丁醇钾、二环己基‑18‑冠醚‑6、3‑2,3‑环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、10%溶质质量分数的甲酸水溶液、氩气、四氢呋喃为原料，以内置有雾化颗粒度3μm‑5μm的雾化装置、低温脉冲等离子体发生装置、加热装置、立体气体搅拌装置的保护气氛电阻炉为生产设备，经历表面羟化、表面等离子活化、冷烧结三个步骤。本发明处理后的SLS尼龙制件具有断裂伸长率高、表面完整性好、无缺口冲击强度高、表面粗糙度好的特性。

主权项：1.一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法，其特征在于包括以下阶段：S1：原料准备①原材料准备：准备SLS尼龙制件、足量叔丁醇钾、足量二环己基-18-冠醚-6、足量3-2,3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、足量10%溶质质量分数的甲酸水溶液、足量氩气、足量四氢呋喃；②设备准备：准备内置有雾化颗粒度3μm-5μm的雾化装置、低温脉冲等离子体发生装置、加热装置、立体气体搅拌装置的保护气氛电阻炉；S2：制件表面活化①将阶段S1步骤①准备的SLS尼龙制件置于阶段S1步骤②准备的保护气氛电阻炉中，通入氩气保护；②将阶段S1步骤①准备的叔丁醇钾、二环己基-18-冠醚-6、四氢呋喃按质量比28-32：1：3500-3800的比例混合均匀，制成混合液，然后将混合液雾化通入SLS尼龙制件所在的反应区域，开启立体气体搅拌装置，维持70min-80min；升温至45℃-55℃，然后在混合液内按混合液总质量计加入3wt%-3.5wt%的阶段S1步骤①准备的3-2,3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷，继续保持温度和维持立体气体搅拌，持续120min-150min，然后抽真空，再采用阶段S1步骤①准备的四氢呋喃雾化冲刷制件表面，获得表面羟化制件；③在步骤②完成后的表面羟化制件所在区域内再次抽真空然后充入足量氩气，采用低温脉冲等离子体发生装置将氩气以55V-60V、1.7A-1.8A的工艺参数，以制件为靶进行等离子体处理，获得表面活化制件；S3：低温烧结①将阶段S1步骤①准备的甲酸水溶液雾化通入阶段S2步骤③获得的表面活化制件所在的反应区域，开启立体气体搅拌装置，升温至45℃-55℃，处理50min-60min，获得所需表面低温烧结制件。

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