申请/专利权人：浙江力积存储科技有限公司

申请日：2023-08-18

公开（公告）日：2023-11-03

公开（公告）号：CN116758965B

主分类号：G11C29/02

分类号：G11C29/02;G11C29/50;G11C11/4078

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.03#授权;2023.10.03#实质审查的生效;2023.09.15#公开

摘要：本发明公开一种ZQ校准方法、校准电路，其是在芯片上电前，初始化第一模块和第二模块，获取第一初始控制编码PD1和第二初始控制编码PD2；比较两初始控制编码以得到控制编码复用位N；校准模块依次对第一模块和第二模块进行校准，以得到第一调整控制编码PDx和第二调整控制编码PDy，其中，对第二模块校准时，第二调整控制编码PDy中的至少一位，为根据第一调整控制编码PDx和控制编码复用位N复用编码确定得到；最后根据第一调整控制编码PDX和第二调整控制编码PDY配置第一模块和第二模块。根据对初始化过程中生成编码的比较结果确定复用编码的位数和位置，实现低精度位置编码的复用，显著减少校准次数，提高校准效率的同时，有效降低了芯片校准电路的功耗。

主权项：1.一种ZQ校准方法，该校准方法用于芯片内各模块的等效电阻阻值校准，其中，该校准方法包括如下步骤：芯片上电前，初始化所述芯片内的至少一个第一模块和至少一个第二模块，以获取第一初始控制编码PD1和第二初始控制编码PD2的步骤；配置编码比较电路，对所述第一初始控制编码PD1和第二初始控制编码PD2的相同位列，按照编码精度自低到高的顺序依次比对，确定编码一致的编码位或者编码位数，以得到复用编码PDN或者控制编码复用编码位数N，或按照预设的编码长度，选取控制编码复用位数N的步骤；逻辑控制编辑器根据外部指令，编译校准指令并驱动校准模块，所述校准模块根据比较反馈结果，依次对所述第一模块和第二模块进行校准，以得到第一调整控制编码PDx和第二调整控制编码PDy的步骤，其中，对所述第二模块校准时，所述第二模块的第二调整控制编码PDY中的至少一位，为根据所述第一调整控制编码PDX和控制编码复用位N复用编码得到；根据所述第一调整控制编码PDX和第二调整控制编码PDY配置所述第一模块和第二模块的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江力积存储科技有限公司 ZQ校准方法、校准电路

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