申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-08-22

公开（公告）日：2023-11-17

公开（公告）号：CN117073516A

主分类号：G01B7/16

分类号：G01B7/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.05#实质审查的生效;2023.11.17#公开

摘要：本发明属于微机电技术领域，具体涉及一种具有低温度漂移特性的TPoS应变传感器。包括硅基底、集成在硅基底上的音叉式TPoS谐振，所述音叉式TPoS谐振器包括音叉式TPoS谐振器主体和金属电极盘；音叉式TPoS谐振器主体的下表面设有温度补偿层，温度补偿层由正温度系数材料制成。与现有技术相比，本发明将将音叉式TPoS谐振器作为应变传感器的核心结构，实现应变的变化量检测，通过采用音叉式TPoS谐振器作为应变传感器的核心结构，并通过设置的温度补偿层，抵消传感器硅层材料在温度变化时其杨氏模量变化带来的频率偏移效应，从而实现了低温度漂移特性。

主权项：1.一种具有低温度漂移特性的TPoS应变传感器，包括硅基底、集成在硅基底上的音叉式TPoS谐振器，其特征在于：所述硅基底为中间空间镂空的平板；所述音叉式TPoS谐振器包括音叉式TPoS谐振器主体和金属电极盘；所述音叉式TPoS谐振器主体包括2n+1根谐振梁、两个连接端和温度补偿层，其中n为大于零的整数；2n+1根谐振梁平行连接于两个连接端之间；每根谐振梁结构尺寸相同，均包括掺杂硅层和设于掺杂硅层上表面的金属传输线；金属传输线包括两个金属电极和位于两个金属电极之间的条形金属导线，条形金属导线一端连接其中一个金属电极，另一端连接另外一个金属电极；两个金属电极与掺杂硅层之间均设有压电薄膜层，条形金属导线与掺杂硅层之间设有隔离氧化层；两个连接端上各设有一个锚点，音叉式TPoS谐振器主体通过连接端上的锚点与硅基底相连；温度补偿层由正温度系数材料制成，设于音叉式TPoS谐振器主体的下表面；所述金属电极盘设于音叉式TPoS谐振器主体，其中一侧的硅基底的非镂空区域上；金属电极盘与硅基底之间设有隔离氧化层，包括输入金属电极盘、输出金属电极盘和两个接地金属电极盘，输入金属电极盘和输出金属电极盘位于两个接地金属电极盘之间，输入金属电极盘与其中n+1根谐振梁上的金属传输线连接，输出金属电极盘与余下n根谐振梁上的金属传输线连接传。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种具有低温度漂移特性的TPoS应变传感器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD