申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所

申请日：2021-11-02

公开（公告）日：2023-11-21

公开（公告）号：CN114002581B

主分类号：G01R31/28

分类号：G01R31/28;G01N21/956;G01N23/2251

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.21#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要：本发明涉及一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，包括在芯片两个侧面上对应瑕疵点的位置处分别刻画出第一标记和第二标记；以第一标记和第二标记的痕迹的连线作为划片轨迹，在待检查芯片的探测器端形成第一划片道，在读出电路端形成第二划片道；将待检查芯片放置在冷却夹具上固定，倒入液氮使待检查芯片沿着划片道的位置形成整齐的芯片断裂面；采用显微镜或SEM通过芯片断裂面对芯片内凸点连接的状态进行检查。本发明中，能够将芯片解剖位置与电性能测试中的瑕疵位置进行像素级对应，可适用于10μm凸点间距的焦平面芯片的定位解剖；可为微米级间距焦平面芯片倒焊工艺质量技术分析提供有效手段，以利于倒焊互连质量改进。

主权项：1.一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过加电测试确定待检查芯片上瑕疵点的位置；S2、在芯片两个侧面上对应瑕疵点的位置处使用激光点光源分别刻画出第一标记和第二标记；S5、将待检查芯片的探测器端朝上，分别以第一标记和第二标记的痕迹的中心位置作为对准标记位，以两个对准标记位在探测器单元上的连线作为划片轨迹，使用划片机进行划片，形成第一划片道，所述第一划片道的深度小于探测器单元的厚度；S6、将待检查芯片的读出电路端朝上，分别以第一标记和第二标记的痕迹的中心位置作为对准标记位，以两个对准标记位在读出电路单元上的连线作为划片轨迹，使用划片机进行划片，形成第二划片道，所述第二划片道的深度小于读出电路单元的厚度；S7、将待检查芯片放置在冷却夹具上固定，将液氮倒入夹具注入孔中，使待检查芯片在其内应力的作用下沿着划片道的位置形成整齐的芯片断裂面；S8、采用显微镜或SEM通过芯片断裂面对芯片内凸点连接的状态进行检查。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法

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