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【发明公布】一种防串扰芯片结构、制造方法及倒装焊芯片_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202311506738.0 

申请/专利权人:本源量子计算科技(合肥)股份有限公司

申请日:2023-11-09

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN117677279A

主分类号:H10N60/80

分类号:H10N60/80;H10N60/81;H10N60/01

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要:本申请公开了一种防串扰芯片结构、制造方法及倒装焊芯片,属于量子比特芯片领域。一种防串扰芯片结构,包括:对置的第一芯片和第二芯片,第一芯片有第一表面和第二表面,第二芯片有第三表面,第一表面和第三表面相对设置并分别形成有第一电路层和第二电路层,且第一电路层形成有比特结构;连接件,位于第一芯片和第二芯片之间,并电性连接第一电路层和第二电路层;以及包覆第二表面的屏蔽层;其中,屏蔽层、连接件和第二电路层共同形成用于容纳比特结构的信号屏蔽腔,从而降低屏蔽腔以外的外部信号对比特结构的影响。通过上述方式,本发明能够解决腔膜频率和信号串扰降低量子比特性能的问题。

主权项:1.一种防串扰芯片结构,其特征在于,包括:对置的第一芯片1和第二芯片2,所述第一芯片1有第一表面和第二表面,所述第二芯片2有第三表面,所述第一表面和所述第三表面相对设置并分别形成有第一电路层11和第二电路层21,且所述第一电路层11形成有比特结构;连接件3,位于所述第一芯片1和所述第二芯片2之间,并电性连接所述第一电路层11和所述第二电路层21;以及包覆所述第二表面的屏蔽层4;其中,所述屏蔽层4、连接件3和第二电路层21共同形成用于容纳所述比特结构的信号屏蔽腔,从而降低所述屏蔽腔以外的外部信号对所述比特结构的影响。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 一种防串扰芯片结构、制造方法及倒装焊芯片

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