申请/专利权人：安徽大学

申请日：2023-07-12

公开（公告）日：2023-12-05

公开（公告）号：CN117174588A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.22#实质审查的生效;2023.12.05#公开

摘要：本发明提供一种GaSbMOS器件及其制备方法，涉及电子技术领域。GaSbMOS器件的制备方法，包括如下步骤：1提供GaSb基片，对所述GaSb基片进行表面清洗；2提供NH42S溶液，用所述NH42S溶液对表面清洗后的所述GaSb基片进行表面处理；3在表面处理后的所述GaSb基片上沉积Yb2O3薄膜，构筑Yb2O3GaSb叠层栅结构；4在所述的Yb2O3GaSb叠层栅结构上制备Al电极，构筑AlYb2O3GaSbMOS器件。制备的GaSbMOS器件的Yb2O3GaSb的界面态密度值低，GaSbMOS器件的电学性能优异。

主权项：1.一种GaSbMOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤1提供GaSb基片，对所述GaSb基片进行表面清洗；2提供NH42S溶液，用所述NH42S溶液对表面清洗后的所述GaSb基片进行表面处理；3在表面处理后的所述GaSb基片上沉积Yb2O3薄膜，构筑Yb2O3GaSb叠层栅结构；4在所述的Yb2O3GaSb叠层栅结构上制备Al电极，构筑AlYb2O3GaSbMOS器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽大学 一种GaSb MOS器件及其制备方法

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