申请/专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司

申请日：2023-09-05

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN116855892B

主分类号：C23C14/22

分类号：C23C14/22;C23C14/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.08#授权;2023.10.27#实质审查的生效;2023.10.10#公开

摘要：本发明公开了一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法，包括以下步骤：S1：提供PVD反应腔体，反应腔体内设置有加热器，加热器上设置有一导热结构，加热器上设置有顶针，靶材为AlSi或AlSiCu；S2：加热器温度设置在150‑280℃，反应腔体的气压为真空或者接近真空；S3：反应腔体的射频功率设置为11‑18kw，通入氩气，沉积相应时间的AlSi或AlSiCu薄膜；S4：关闭反应腔体电源，通过导热气体稳压冷却，静置相应时间后抽出导热气体，进行下一次沉积，直到得到相应厚度的沉积AlSi或AlSiCu薄膜，使用此工艺方式可以使单片工艺时间可以缩短30%左右。

主权项：1.一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供PVD反应腔体，反应腔体内设置有加热器，加热器上设置有一导热结构，基片位于导热结构上，加热器上设置有顶针，导热结构上具有用于顶针通过的间隙，靶材为AlSi或AlSiCu；S2：加热器温度设置在150-280℃，反应腔体的气压为真空或者接近真空；S3：反应腔体的射频功率设置为11-18kw，通入30-70sccm的氩气，沉积相应时间的AlSi或AlSiCu薄膜；S4：关闭反应腔体电源，通过导热气体稳压冷却，气压稳定在0.5-1.5Torr，静置相应时间后抽出导热气体，进行下一次沉积或根据沉积次数的需要依次循环稳压冷却再沉积，稳压冷却的期间顶针顶起基片静置，进入下一次沉积时顶针收起并根据稳压冷却的次数循环操作，直到得到相应厚度的沉积AlSi或AlSiCu薄膜，所述导热结构上表面为锯齿状结构。

全文数据：

权利要求：

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