申请/专利权人：扬州国宇电子有限公司

申请日：2023-09-21

公开（公告）日：2023-12-15

公开（公告）号：CN117238974A

主分类号：H01L29/93

分类号：H01L29/93;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种等差式多环区的超突变变容二极管及其制备方法。该超突变变容二极管包括：N+型衬底，N‑型外延层，设置于N+型衬底上方，N‑型外延层上部设置有元胞区和多个环区，多个环区间隔环绕元胞区设置，元胞区和多个环区均同心设置，相邻环区的间距朝向远离圆心的方向等差递增，元胞区和环区分别设置有P+掺杂区和N型缓冲区；氧化层，设置于N‑型外延层上方；钝化层，设置于氧化层上方；势垒合金层，设置于元胞区和环区上方。该超突变变容二极管等差式排布的多环区结构，使得初始结电容远超常规变容二极管且极大地增加了变容比n值。

主权项：1.一种等差式多环区的超突变变容二极管，其特征在于，包括：N+型衬底，N-型外延层，设置于所述N+型衬底上方，所述N-型外延层上部设置有元胞区和多个环区，多个所述环区间隔环绕所述元胞区设置，所述元胞区和多个所述环区均同心设置，相邻所述环区的间距朝向远离圆心的方向等差递增，所述元胞区和所述环区分别设置有P+掺杂区和N型缓冲区；氧化层，设置于所述N-型外延层上方；钝化层，设置于所述氧化层上方；势垒合金层，设置于所述元胞区和所述环区上方；正面电极，设置于所述钝化层和所述势垒合金层上方；背面电极，设置于所述N+型衬底下部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州国宇电子有限公司 一种等差式多环区的超突变变容二极管及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD