申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司

申请日：2018-08-20

公开（公告）日：2023-12-19

公开（公告）号：CN110998842B

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L21/8232

优先权：["20170821 US 15/682,128"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.19#授权;2020.08.28#实质审查的生效;2020.04.10#公开

摘要：所描述的示例包括LDMOS晶体管101和集成电路100，其具有栅极130、132、134、注入衬底102中以在栅极的一部分下方提供沟道区的体区108、与沟道区相邻的源极136、与栅极的第一侧横向间隔开的漏极138、包括第一高掺杂漂移区部分112的漂移区110、在第一高掺杂漂移区部分112上方的低掺杂间隙漂移区113、以及在间隙漂移区113上方的第二高掺杂区部分114。隔离结构116延伸穿过第二高掺杂区部分114进入间隙漂移区部分113，其中第一端靠近漏极区138并且第二端在栅极电介质层130的下方。体区108包括与隔离结构116的第二端横向间隔开的锥形侧，以限定梯形JFET区150。

主权项：1.一种集成电路即IC，包括：半导体衬底；所述衬底中的n型掩埋层区即NBL区；所述衬底中的所述NBL区之上的p型掩埋层区即PBL区；所述衬底中的所述PBL区上方的漂移区，所述漂移区包括：所述PBL区之上的第一n漂移区部分、所述第一n漂移区部分之上的低掺杂间隙漂移区，以及所述间隙漂移区之上的第二n漂移区部分；栅极结构，包括在所述衬底的顶表面上方形成的栅极电介质层，以及在所述栅极电介质层上的栅极电极；n型漏极区，其在所述第二n漂移区部分中与所述栅极结构的第一侧横向间隔开；隔离结构，其向下延伸穿过所述第二n漂移区部分并进入所述间隙漂移区部分，所述隔离结构包括与所述n型漏极区接触的第一端和在所述栅极电介质层下方的第二端；p体区，其延伸穿过所述漂移区并进入所述PBL区，所述p体区包括在所述衬底的所述顶表面处与所述隔离结构的所述第二端横向间隔第一横向距离的锥形侧，所述锥形侧在所述间隙漂移区部分中与所述隔离结构的所述第二端横向间隔较小的第二横向距离，并且所述锥形侧与所述隔离结构的所述第二端之间的所述横向距离在所述第一n漂移区中具有最小值；以及n型源极区，其与所述p体区中的沟道区相邻并从所述p体区中的所述栅极结构的第二侧横向向外延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 具有梯形JFET、底栅及镇流漂移的集成电路、LDMOS和制造方法

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