申请/专利权人：慧与发展有限责任合伙企业

申请日：2022-10-25

公开（公告）日：2023-12-26

公开（公告）号：CN117289494A

主分类号：G02F1/015

分类号：G02F1/015;G02F1/025

优先权：["20220617 US 17/843,352"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.26#公开

摘要：本公开涉及相位调谐的宇称时间对称定向耦合器。本文公开的实施方式提供了用于通过改进的相位调谐以及单独的光增益和光损耗调谐来获得宇称时间PT对称定向耦合器的设备和方法。本公开将相位调谐和光增益损耗调谐结构集成到本文公开的定向耦合器的波导中。在一些示例中，本文公开的定向耦合器集成了由两个半导体层之间的电介质层形成的并且根据电压偏压极性通过等离子体色散和或载流子累积来提供相位调谐的一个或多个混合金属氧化物半导体电容器MOSCAP，以及根据电压偏压极性来提供光增益或损耗调谐的一个或多个光学活性介质。

主权项：1.一种混合III-V硅器件，包括：第一硅层，所述第一硅层设置在掩埋氧化物BOX层上方，其中，所述第一硅层包括：第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一沟槽，第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二沟槽，第一间隙区，所述第一间隙区设置在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；第一氧化物层，所述第一氧化物层设置在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上方；第一台面，所述第一台面设置在所述第一硅层的所述第一掺杂区上，其中，所述第一台面包括：第一III-V族层，所述第一III-V族层设置在所述第一氧化物层上方；第一光学活性区，所述第一光学活性区设置在所述第一III-V族层上方；以及第二III-V族层，所述第二III-V族层设置在所述光学活性区上方；以及第二台面，所述第二台面设置在所述第一硅层的所述第二掺杂区上，其中，所述第二台面包括：第三III-V族层，所述第三III-V族层设置在所述第一氧化物层上方；第二光学活性区，所述第二光学活性区设置在所述第三III-V族层上方；以及第四III-V族层，所述第四III-V族层设置在所述第二光学活性区上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 慧与发展有限责任合伙企业 相位调谐的宇称时间对称定向耦合器

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