申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2023-12-26

公开（公告）号：CN117133820B

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/0304;H01L31/0224

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.26#授权;2023.12.15#实质审查的生效;2023.11.28#公开

摘要：本发明提供一种甚长波超晶格势垒红外探测器，包括由下至上依次叠置的衬底、缓冲层、底部接触层、吸收层、势垒层、顶部接触层和盖层；其中，底部接触层、吸收层、势垒层、顶部接触层均为InAsGaSbAlSbGaSb构成的M型超晶格，且通过分子束外延的方式生长得到；势垒层材料中的InAs层周期厚度比吸收层小。本发明吸收层和势垒层采用同种超晶格结构，可以解决晶格失配的问题，降低两者之间的价带偏移，从而降低GR暗电流噪声，提高探测器件的准确性和灵敏度。同时，超晶格结构可以通过能带工程控制调节带隙的大小、吸收系数的高低，丰富甚长波探测器的应用场景。

主权项：1.一种甚长波超晶格势垒红外探测器，其特征在于，包括：由下至上依次叠置的衬底（1）、缓冲层（2）、底部接触层（3）、吸收层（4）、势垒层（5）、顶部接触层（6）和盖层（7）；其中，所述底部接触层（3）、所述吸收层（4）、所述势垒层（5）、所述顶部接触层（6）均为InAsGaSbAlSbGaSb构成的M型超晶格，且通过分子束外延的方式生长得到；所述势垒层（5）材料中的InAs层周期厚度比所述吸收层（4）小；所述吸收层（4）超晶格材料的截止波长对应甚长波红外波段，厚度为1~5mm，所述吸收层（4）为N型弱掺杂，掺杂浓度为5×1015~5×1016cm-3；所述势垒层（5）的超晶格材料的截止波长对应中长波红外波段，厚度在1mm以内，所述势垒层（5）为P型弱掺杂，掺杂浓度为1×1015~1×1016cm-3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 甚长波超晶格势垒红外探测器

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