申请/专利权人：上海空间电源研究所

申请日：2023-08-17

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936615A

主分类号：H01L31/0687

分类号：H01L31/0687;H01L31/0304;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明的级联晶格匹配六结太阳电池从上至下依次包括接触层、AlzGa1‑z1‑yInyP子电池、第一隧穿结、GauIn1‑uAsvP1‑v子电池、第二隧穿结、InxGa1‑xAs子电池、第三隧穿结、GapIn1‑pAsqP1‑q子电池、第四隧穿结、GarIn1‑rAstP1‑t子电池、第五隧穿结、GawIn1‑wAs子电池和InP衬底。本发明的级联晶格匹配六结太阳电池提高了太阳电池光电转换效率。

主权项：1.级联晶格匹配六结太阳电池，其特征在于，从上至下依次包括接触层、AlzGa1-z1-yInyP子电池、第一隧穿结、GauIn1-uAsvP1-v子电池、第二隧穿结、InxGa1-xAs子电池、第三隧穿结、GapIn1-pAsqP1-q子电池、第四隧穿结、GarIn1-rAstP1-t子电池、第五隧穿结、GawIn1-wAs子电池和InP衬底；所述接触层为n型掺杂的n-InxGa1-xAs，其中0≤x≤0.05；所述AlzGa1-z1-yInyP子电池包括n型掺杂的n-Al1-yaInyaP窗口层、n型掺杂的n-AlzaGa1-za1-ybInybP发射区层、p型掺杂的p-AlzbGa1-zb1-ybInybP基区层和p型掺杂的p-AlzcGa1-zc1-ybInybP背场层，0.47≤ya≤0.49，0.05≤za≤0.36、0.48≤yb≤0.50，0.20≤zb≤0.36，0.40≤zc≤0.70；所述第一隧穿结包括p型掺杂的p+-AlfGa1-fAs层和n型掺杂的n+-AlzdGa1-zd1-ybInybP层，0.35≤f≤0.55，0.10≤zd≤0.70；所述GauIn1-uAsvP1-v子电池包括n型掺杂的n-Al1-yaInyaP窗口层、n型掺杂的n-GauIn1-uAsvP1-v发射区层、p型掺杂的p-GauIn1-uAsvP1-v基区层和p型掺杂的p-AlzeGa1-ze1-ybInybP背场层，0.65≤u≤0.75、0.30≤v≤0.50，0≤ze≤0.50；所述第二隧穿结包括p型掺杂的p+-AlgGa1-gAs层和n型掺杂的n+-AlzfGa1-zf1-ybInybP层，0.35≤g≤0.55，0≤zf≤0.70；所述InxGa1-xAs子电池包括n型掺杂的n-Al1-yaInyaP窗口层、n型掺杂的n-InxGa1-xAs发射区层、p型掺杂的p-InxGa1-xAs基区层和p型掺杂的p-AlhGa1-hAs背场层，0.20≤h≤0.40；所述第三隧穿结包括p型掺杂的p+-InxGa1-xAs层和n型掺杂的n+-InP层；所述GapIn1-pAsqP1-q子电池包括n型掺杂的n-InP窗口层、n型掺杂的n-GapIn1-pAsqP1-q发射区层、p型掺杂的p-GapIn1-pAsqP1-q基区层和p型掺杂的p-AljIn1-jAskP1-k背场层，0.10≤p≤0.20、0.15≤q≤0.35，0.40≤j≤0.70、0≤k≤1；所述第四隧穿结包括p型掺杂的p+-AlmaGa1-ma1-nInnAs层和n型掺杂的n+-InP层，0.20≤ma≤0.60、0.40≤n≤0.50；所述GarIn1-rAstP1-t子电池包括n型掺杂的n-InP窗口层、n型掺杂的n-GarIn1-rAstP1-t发射区层、p型掺杂的p-GarIn1-rAstP1-t基区层和p型掺杂的p-AljIn1-jAskP1-k背场层，0.25≤r≤0.50、0.45≤t≤0.75；所述第五隧穿结包括p型掺杂的p+-AlmbGa1-mb1-nInnAs层和n型掺杂的n+-InP层，0.10≤mb≤0.40；所述GawIn1-wAs子电池包括n型掺杂的n-InP窗口层、n型掺杂的n-GawIn1-wAs发射区层、p型掺杂的p-GawIn1-wAs基区层和p型掺杂的p-AljIn1-jAskP1-k背场层，0.45≤w≤0.60。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海空间电源研究所 级联晶格匹配六结太阳电池及其制备方法

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