申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2020-09-28

公开（公告）日：2023-12-26

公开（公告）号：CN114284859B

主分类号：H01S5/042

分类号：H01S5/042;H01S5/22;H01S5/10;H01S5/065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.26#授权;2022.04.22#实质审查的生效;2022.04.05#公开

摘要：一种基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器及其应用，该多腔耦合激光器包括N面电极层；N型波导层，设置在N面电极层上；有源区层，设置在N型波导层上；P型波导层，设置在有源区层上，其上设有至少两个增益损耗脊型波导单元，每个增益损耗脊型波导单元均包括一个损耗脊型波导和一个增益脊型波导；绝缘层，覆盖在P型波导层上，在损耗脊型波导和增益脊型波导顶部设有窗口区域；以及P面电极层，包括损耗脊型波导P面电极和增益脊型波导P面电极。本发明提供的这种基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器，通过对宇称时间对称性的调控实现对多腔能量分布调控的同时，可以实现对大功率激光器光束质量的优化。

主权项：1.一种基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器，包括：N面电极层；N型波导层，设置在N面电极层上；有源区层，设置在N型波导层上；P型波导层，设置在有源区层上，其上设有至少两个增益损耗脊型波导单元，每个增益损耗脊型波导单元均包括一个损耗脊型波导和一个增益脊型波导，其中，所述增益损耗脊型波导单元之间间距相同；相邻的两个所述增益损耗脊型波导单元之间的间距大于所述增益损耗脊型波导单元内的所述增益脊型波导和所述损耗脊型波导之间的间距；绝缘层，覆盖在P型波导层上，在损耗脊型波导和增益脊型波导顶部设有窗口区域；以及P面电极层，包括损耗脊型波导P面电极和增益脊型波导P面电极，损耗脊型波导P面电极设置在损耗脊型波导的窗口区域上，增益脊型波导P面电极设置在增益脊型波导的窗口区域上，所有的损耗脊型波导P面电极连接于第一电源，所有的增益脊型波导P面电极连接于第二电源，通过第一电源和第二电源调节电流注入。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器及其应用

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