申请/专利权人：北京星英联微波科技有限责任公司

申请日：2023-07-26

公开（公告）日：2023-12-26

公开（公告）号：CN116826347B

主分类号：H01P5/20

分类号：H01P5/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.26#授权;2023.10.24#实质审查的生效;2023.09.29#公开

摘要：本发明公开了一种具备抗电磁损伤能力的全带宽可调谐波导魔T，涉及微波技术领域。所述波导魔T包括波导魔T主体，所述波导魔T主体包括左右对称且相互连通的左平衡臂和右平衡臂，所述左平衡臂与右平衡臂连接处中心的上方设置有竖直的E臂，H臂处于左平衡臂与右平衡臂连接处中心的侧方，所述左平衡臂以及右平衡臂的内腔内设置有抗电磁损伤结构，所述左平衡臂以及右平衡臂之间的内腔底壁上形成有第一带宽匹配凸台，所述第一宽带匹配凸台的上表面形成有第二宽带匹配凸台，调谐探针的下端位于所述波导魔T主体的外侧，调谐探针的上端从所述第二宽带匹配凸台的上表面穿出。所述波导魔T具有良好的带宽匹配及抗电磁损伤能力，且集成化高，体积小。

主权项：1.一种具备抗电磁损伤能力的全带宽可调谐波导魔T，其特征在于：包括波导魔T主体，所述波导魔T主体包括左右对称且相互连通的左平衡臂（3）和右平衡臂（4），所述左平衡臂（3）与右平衡臂（4）连接处中心的上方设置有竖直的E臂（1），且所述E臂（1）与所述左平衡臂（3）以及右平衡臂（4）相连通，H臂（2）处于左平衡臂（3）与右平衡臂（4）连接处中心的侧方，且与左平衡臂（3）以及右平衡臂（4）相连通，所述左平衡臂（3）以及右平衡臂（4）的内腔内设置有抗电磁损伤结构（5），所述左平衡臂（3）以及右平衡臂（4）之间的内腔底壁上形成有第一宽带匹配凸台（6），所述第一宽带匹配凸台（6）的上表面形成有第二宽带匹配凸台（7），调谐探针（8）的下端位于所述波导魔T主体的外侧，调谐探针（8）的上端延伸到所述波导魔T主体内并依次穿过所述第一宽带匹配凸台（6）以及第二宽带匹配凸台（7）后，从所述第二宽带匹配凸台（7）的上表面穿出，并与所述E臂（1）的内腔相对；所述抗电磁损伤结构（5）包括介质板（502），所述介质板（502）的背面形成有背面金属层（501），所述介质板（502）的正面形成有若干个抗电磁损伤结构单元，每个所述抗电磁损伤结构单元通过金属化过孔（505）与所述背面金属层（501）连接；所述抗电磁损伤结构单元包括中心贴片（504）与外围贴片（503），所述外围贴片（503）上形成有与所述中心贴片（504）相适配的中心孔，所述中心贴片（504）位于所述中心孔内，且所述中心贴片（504）不与所述外围贴片（503）直接接触，所述中心贴片（504）与所述外围贴片（503）之间设置有二极管（506），通过所述二极管（506）的打开或者闭合能够使所述中心贴片（504）与所述外围贴片（503）不连接或连接到一起。

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