申请/专利权人：浙江工业大学

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN115128714B

主分类号：G02B5/00

分类号：G02B5/00;G02B1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.02#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.09.30#公开

摘要：本发明公开了一种基于非厄米超表面的非互易传输器件。本发明提供了一种可集成的周期性超表面，此周期性结构的基本单元自上而下分别由第一耦合结构，中间介质层，第二耦合结构和基底层依次堆叠而成，其中第一耦合结构和第二耦合结构尺寸上互补。当x方向偏振光从基底层入射时，反射波与结构被激发出的再辐射波相抵消，表现出偏振敏感吸收，实现非互易传输的效果。当x方向偏振光从第一耦合结构入射时，器件表现出近乎全反射的能力。本发明是基于非厄米超表面理论设计的光学器件，有助于非厄米光学理论的完善，同时由于其尺寸小、易于集成，在未来高集成度的光互连系统中具有极高的应用潜力。

主权项：1.一种基于非厄米超表面的非互易传输器件，其特征在于：非互易传输器件由多个基本单元按周期性排列组成，所述基本单元包括从上到下依次堆叠的第一耦合结构1、中间介质层2、第二耦合结构3以及二氧化硅基底层4；通过优化结构参数，所述非互易传输器件对于近红外光的入射方向具有选择性；所述的第一耦合结构1为周期性排列的长方体金属棒；所述的第二耦合结构3为具有周期开槽的金属背板，金属背板上的周期开槽为长方形槽孔，所述长方形槽孔与长方体金属棒具有相同的长和宽，第一耦合结构1和第二耦合结构3具有相同的厚度；所述长方体金属棒和长方形槽孔的数量相同并且相互垂直设置；所述第一耦合结构1与第二耦合结构3之间为提供入射波与反射波发生干涉空间的中间介质层2；所述第二耦合结构3下方为二氧化硅基底层4；非互易传输器件的单元周期P为1000nm,第一耦合结构1厚度h1为35-45nm，中间介质层2厚度h2为90-110nm，第二耦合结构3厚度h3为35-45nm,二氧化硅基底层4的厚度h4为1000-3000nm；所述长方体金属棒与长方形槽孔具有相同的长和宽分别为：l为645-655nm，w为115-125nm；所述第一耦合结构1和第二耦合结构3材料为金属银；所述中间介质层2的材料为一种光刻胶AR-N4340，其折射率用柯西色散公式表征： 其中λ是入射波长，N0＝1.599,N1＝81.4，N2＝81.4；所述二氧化硅基底层4所用材料为折射率为1.4的二氧化硅或者其他折射率相近的材料；第二耦合结构3的长方形槽孔中填充与中间介质层2相同的材料光刻胶AR-N4340。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江工业大学 一种基于非厄米超表面的非互易传输器件

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