申请/专利权人：韩华新能源(启东)有限公司

申请日：2021-12-22

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN114256385B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.09#授权;2022.04.15#实质审查的生效;2022.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种TBC背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在进行过制绒清洗和抛光处理后的硅片的背面生长第一隧穿氧化层以及p+掺杂层，之后在所述第一隧穿氧化层以及p+掺杂层上进行第一次激光开膜并清洗，沉积第一氮化硅层，在所述第一氮化硅层上进行第二次激光开膜和清洗，生长第二隧穿氧化层以及n+掺杂层，沉积第二氮化硅层并清洗；在硅片的正面沉积钝化减反膜；在所述n+掺杂层和第二氮化硅层上进行第三次激光开膜并清洗，在对应n+掺杂层上印刷背电极。本发明的太阳能电池片的制备方法，制备得到的电池片可以很好的提高电池的电流密度以及开路电压；背面采用钝化接触的结构，可以很好的降低银的金属穿刺，减小电池的金属复合。

主权项：1.一种TBC背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在进行过制绒清洗和抛光处理后的硅片的背面生长第一隧穿氧化层以及p+掺杂层，之后在所述第一隧穿氧化层以及p+掺杂层上进行第一次激光开膜并清洗，沉积第一氮化硅层，在所述第一氮化硅层上进行第二次激光开膜和清洗，生长第二隧穿氧化层以及n+掺杂层，沉积第二氮化硅层并清洗；在硅片的正面沉积钝化减反膜；在所述n+掺杂层和第二氮化硅层上进行第三次激光开膜并清洗，在对应n+掺杂层上印刷背电极；所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层的材质为SiO2，厚度为1～3nm，所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层的生长方法为高温热氧法、硝酸氧化法、臭氧氧化法或者CVD沉积法；所述p+掺杂层为采用板式或者管式PECVD原位掺杂后形成，掺杂时，硼源的流量为100～1000sccm；所述p+掺杂层的厚度为40～300nm；所述n+掺杂层为采用板式或者管式PECVD原位掺杂后形成，掺杂时，磷源的流量为100～1000sccm；所述n+掺杂层的厚度为40～300nm；生长第一隧穿氧化层以及p+掺杂层后还设置有第一退火步骤：退火峰值温度为900～1100℃，退火时间为30～200min，气氛为N2和O2；生长第二隧穿氧化层以及n+掺杂层后还设置有第二退火步骤：退火峰值温度为700～900℃，退火时间为30～200min，气氛为N2和O2；所述硅片的背面对应第一次激光开膜的位置设置有第三隧穿氧化层；所述第一次激光开膜和第二次激光开膜的激光波长为532nm；所述第三次激光开膜的激光波长为355nm；所述硅片为N型硅片；所述N型硅片的电阻率为0.5～15Ω·cm，厚度为50～300um；所述硅片正面的钝化减反层为Al2O3、SiNx、SiOxNy、SiOx构成的介质层，Al2O3介质膜的厚度为2～15nm，SiNx厚度为1～80nm，SiOxNy厚度为1～80nm，SiOx厚度为1～50nm。

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百度查询： 韩华新能源(启东)有限公司 一种TBC背接触太阳能电池及其制备方法

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