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【发明公布】使用同位素比率与软件校正来精确调节基于MCP的离子检测器_DH科技发展私人贸易有限公司_202280035201.8 

申请/专利权人:DH科技发展私人贸易有限公司

申请日:2022-05-03

公开(公告)日:2024-01-12

公开(公告)号:CN117396999A

主分类号:H01J49/00

分类号:H01J49/00

优先权:["20210517 US 63/189,233"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.01.12#公开

摘要:一种包括MCP检测器的质谱仪,其选择并分析校准物化合物,该校准物化合物具有第一同位素和第二同位素,第一同位素和第二同位素具有已知丰度比率。在MCP检测器的偏置电压步进通过一个或多个不同电压的序列的同时,质谱仪测量在MCP检测器处产生多离子打击的第一同位素的强度和在MCP检测器处产生单离子打击的第二同位素的强度。在每一步,将测量的强度的比率与这两种同位素的已知丰度比率进行比较。当测量的比率在已知丰度比率的预定阈值内时,使用针对电压的序列中的电压计算的一个或多个测量比率来计算MCP检测器的最佳电压。

主权项:1.一种用于计算质谱仪的微通道板MCP检测器的最佳偏置电压的系统,包括:离子源设备,所述离子源设备连续接收并电离校准样品从而产生离子束,所述校准样品包括已知化合物,所述已知化合物至少具有第一同位素和第二同位素,所述第一同位素和所述第二同位素具有已知丰度比率;包括MCP检测器的质谱仪,所述质谱仪接收所述离子束,选择包括所述第一同位素的第一离子和所述第二同位素的第二离子的质量范围并对所述质量范围进行质量分析,控制所述离子束以使得所述MCP检测所述第一离子的仅多离子打击和所述第二离子的仅单离子打击,以及在所述MCP的偏置电压步进通过影响所述MCP检测的第一离子数量和第二离子数量的一个或多个不同电压的序列时产生所述质量范围的一个或多个质谱;以及与所述质谱仪通信的处理器,所述处理器针对电压的所述序列中的每个电压进行如下操作:根据所述一个或多个质谱确定所述第一离子的第一强度和所述第二离子的第二强度,计算所述第一强度和所述第二强度的测量比率,将所述测量比率与所述已知丰度比率进行比较,以及当所述测量比率在所述已知丰度比率的预定阈值内时,使用针对电压的所述序列中的电压计算的一个或多个测量比率来计算所述MCP的最佳电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: DH科技发展私人贸易有限公司 使用同位素比率与软件校正来精确调节基于MCP的离子检测器

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