申请/专利权人：上海慕灿信息科技有限公司

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2024-01-19

公开（公告）号：CN117421955A

主分类号：G06F30/23

分类号：G06F30/23

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要：本发明公开了一种应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，包括以下步骤：步骤1：构建一个由两个区域组成的计算域，单元格的大小在界面处从Δ变为ΔR＝Δ'，边界作为区域之间的接口；步骤2：构建第二个域，其中网格大小从Δ到ΔR＝Δ”变化；步骤3：建立互补导数算法，并使用二阶精确插值方法确定网格尺寸的缩减因子。在基于FDTD的方法中使用非均匀网格时实现二阶精度，此外，CDM可以实现广泛的网格尺寸缩减因子，从而允许比以前更大的网格尺寸灵活性。理论讨论和数值模拟表明，CDM消除了一阶网格界面反射误差。鉴于高介电常数和高磁导率材料的使用越来越多，预计CDM将对此类材料的建模产生强烈影响。

主权项：1.一种应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：构建一个由两个区域组成的计算域，单元格的大小在界面处从Δ变为ΔR＝Δ'，边界作为区域之间的接口；步骤2：构建第二个域，其中网格大小从Δ到ΔR＝Δ”变化；步骤3：建立互补导数算法，并使用二阶精确插值方法确定网格尺寸的缩减因子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海慕灿信息科技有限公司 一种应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法

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