申请/专利权人：安世有限公司

申请日：2023-07-19

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117438312A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：["20220722 EP 22186430.9"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.01.23#公开

摘要：一种垂直取向半导体器件，所述半导体器件包括具有第一主表面的半导体主体；所述半导体器件包括第一导电类型的电流调节区；在所述第一主表面处或附近的第二导电类型的阱区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述阱区与所述电流调节区的侧面横向相邻，所述阱区具有进入所述半导体主体的第一深度；设置在与所述第一主表面垂直相对的第二主表面处的衬底区，所述衬底区具有所述第一导电类型，其中至少一个所述阱区具有横向掺杂梯度，该横向掺杂梯度具有从所述阱区的第一横向端处的较高掺杂浓度向阱区的面对所述电流调节区的相对的第二横向端处的较低掺杂浓度单调递减的掺杂浓度。

主权项：1.一种制造垂直取向半导体器件的方法，包括以下步骤：提供第一导电类型的半导体主体，其具有第一主表面并具有所述第一导电类型的电流调节区，所述电流调节区与所述第一主表面相邻；使用第二掩模，在所述半导体主体上注入第二导电类型的自由电荷载流子，使得在所述电流调节区的相对横向侧处产生所述第二导电类型的阱区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；其中使用所述第二掩模执行所述注入所述第二导电类型的自由电荷载流子，随后使用至少第三掩模执行注入所述第二导电类型的自由电荷载流子，使得所述阱区中的至少一个具有掺杂浓度单调递减的横向掺杂梯度，所述横向掺杂浓度从所述阱区的第一横向端处的较高掺杂浓度向所述阱区的面对所述电流调节区的相对的第二横向端处的较低掺杂浓度单调递减，其中所述方法还包括以下步骤：使用第一掩模，在所述半导体主体上注入所述第一导电类型的自由电荷载流子，使得在所述半导体主体中产生所述第一导电类型的所述电流调节区，其中所述第二掩模的宽度大于所述电流调节区的宽度，其中所述第三掩模的宽度小于所述第二掩模的宽度，并且小于所述电流调节区的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安世有限公司 包括具有掺杂浓度单调递减的横向掺杂梯度的阱区的垂直取向半导体器件以及制造这种垂直取向半导体器件的相应方法

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