申请/专利权人：贵研铂业股份有限公司;云南贵金属实验室有限公司;昆明贵金属研究所

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117447237A

主分类号：C04B41/87

分类号：C04B41/87

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明公开了一种HfC梯度涂层的制备方法，属于涂层制备技术领域。所述HfC梯度涂层制备方法，采用化学气相沉积方法，通过调控氯化温度、沉积温度、氯气流量、氢气流量、甲烷流量及沉积室压力制备HfC梯度涂层，所述梯度涂层由4‑8层涂层构成，自与碳基基体接触的涂层往外依次为：第一层为热解碳层，中间层为HfC与C构成的混合层，最后一层为HfC层，且梯度涂层中Hf含量自内而外递增。本发明获得组分与结构呈梯度变化的HfC梯度涂层材料的相对密度为99.2～99.5％，室温热导率为4.55～4.96W.m‑1.K‑1；梯度涂层能有效缓解HfC涂层与碳基基体间的残余应力，相比单一HfC涂层下降60％以上，室温‑2000℃热震20次后，未出现涂层剥落现象。

主权项：1.一种HfC梯度涂层制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积方法，通过调控氯化温度、沉积温度、氯气流量、氢气流量、甲烷流量及沉积室压力制备HfC梯度涂层，所述梯度涂层由4-8层涂层构成，自与碳基基体接触的涂层往外依次为：第一层为热解碳层，中间层为HfC与C构成的混合层，最后一层为HfC层，且梯度涂层中Hf含量自内而外递增；具体包括如下步骤：1以碳碳复合材料、碳碳化硅复合材料或石墨为待沉积涂层的基体，对基体表面进行抛光、超声清洗及烘干处理；2将铪片置于氯化室内，将基体安装于沉积室的旋转平台上，然后将沉积系统进行密封，并抽成真空状态；3向沉积室通入氢气，同时将氯化室和基体分别加热至设定温度，并调整沉积室压力至设定值，然后先通入甲烷进行第一层涂层的沉积，再通入氯气进行其他涂层沉积，通过调整氯化温度、沉积温度、氯气流量、氢气流量、甲烷流量及沉积室压力，形成HfC梯度涂层。

全文数据：

权利要求：

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