申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117457597A

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L23/055;H01L23/13;H01L23/15;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装方法及其封装结构，属于半导体元器件封装技术领域。在封装外壳多层陶瓷底座上设计不同的平底凹坑，将功能区与热沉区集成在不同的平底凹坑内，在芯片焊接区、引线键合区以及底部引脚区制作金属化层；采用金属通孔实现多层陶瓷之间的电气连接；芯片焊接区采用下沉设计，热沉区贯穿陶瓷底座本体，用于安装金属热沉，功能区高于热沉顶面，与引线键合区形成高度落差；按电路设计要求，将芯片组装在设定的区域，并进行内引线键合；封装外壳的金属盖板与陶瓷底座的环形边框之间为密封焊接。解决了现有技术存在可靠性低、占用面积大、线路繁琐复杂、散热设计不良等问题。广泛用于各类高可靠性航天、航空、汽车电子等领域。

主权项：1.一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装方法，其特征在于，封装方法如下：在封装外壳多层陶瓷底座上设计不同的平底凹坑，将芯片焊接区划分为功能区与热沉区，将功能区与热沉区集成在不同的平底凹坑内，在芯片焊接区、引线键合区以及底部引脚区制作金属化层；采用金属通孔实现陶瓷中间层的电连接以及陶瓷底部每个引脚与相应的焊接区和键合区金属化层的连接；芯片焊接区采用下沉设计，热沉区贯穿陶瓷底座本体，用于安装金属热沉，功能区高于热沉顶面，与引线键合区形成高度落差；按电路设计要求，将芯片组装在设定的区域，并进行内引线键合；封装外壳的金属盖板与陶瓷底座的环形边框之间为密封焊接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装方法及其封装结构

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