申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2022-04-22

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN114823976B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0224;H01L23/66;H01L31/0352;H01L31/112;H01Q1/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.26#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明公开了一种无帽层InPHEMT欧姆接触结构、太赫兹探测器及其制作方法。所述形成欧姆接触的方法包括：在包含InGaAs层的半导体外延结构上制作形成包含金属Ni、Ge、Au的金属层，并于氮气气氛条件下依次进行第一阶段退火处理、第二阶段退火处理，其中，第一阶段退火的处理的温度为200℃，时间为20s，第二阶段退火的处理的温度升高至340‑380℃，时间为50‑100s。本发明实施例提供的一种基于无帽层InPHEMT的太赫兹探测器的制作方法，在InPHEMT中，无帽层结构降低了材料外延生长成本，并简化了制备工艺；同时，避免了在刻蚀帽层时引入大量表面态，在抑制栅极漏电的同时提升了器件的栅控特性，进而保证了探测器的灵敏度。

主权项：1.一种形成无帽层InPHEMT欧姆接触结构的方法，其特征在于，包括：在包含InGaAs层的半导体外延结构上制作形成包含金属Ni、Ge、Au的金属层，并于氮气气氛条件下依次进行第一阶段退火处理、第二阶段退火处理，以使InGaAs层中的部分InGaAs分解，且使金属层中的部分Ge元素扩散至InGaAs层内并占据InGaAs分解后形成的Ga空位，从而使所述金属层与所述半导体外延结构形成欧姆接触，所述InGaAs层内部形成有InAs插入层，所述InAs插入层内部形成有二维电子气，所述金属层与所述二维电子气电连接；其中，第一阶段退火的处理的温度为200℃，时间为20s，第二阶段退火的处理的温度升高至340-380℃，时间为50-100s。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 无帽层InP HEMT欧姆接触结构、太赫兹探测器及其制作方法

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