申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2022-07-20

公开（公告）日：2024-01-30

公开（公告）号：CN117476646A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.01.30#公开

摘要：本发明公开了一种FDSOI工艺中PMOS的抬升式源漏结构的制造方法，包括：步骤一、在FDSOI基片上形成PMOS的栅极结构。步骤二、形成抬升式源漏结构，包括：步骤21、形成种子层。步骤22、形成主体层，主体层为掺硼锗硅外延层。步骤23、依次形成第一盖帽层和第二盖帽层。第一盖帽层为掺硼硅外延层，第二盖帽层为硅外延层。第一盖帽层的硼杂质作为增加主体层的硼掺杂浓度的硼源。步骤24、进行热氧化工艺形成顶部氧化层并同时使第一盖帽层中的硼杂质扩散到主体层、种子层和底部半导体衬底中。步骤25、去除顶部氧化层。步骤26、形成第三盖帽层。本发明能消除抬升式源漏结构的锗掺杂浓度对硼掺杂浓度的限制，从而能同时提升抬升式源漏结构的锗掺杂浓度和硼掺杂浓度。

主权项：1.一种FDSOI工艺中PMOS的抬升式源漏结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供FDSOI基片并在所述FDSOI基片上形成PMOS的栅极结构；所述FDSOI基片包括底部半导体衬底、绝缘介质埋层和顶部半导体衬底，所述绝缘介质埋层位于所述底部半导体衬底和所述顶部半导体衬底之间；被所述栅极结构所覆盖的所述顶部半导体衬底形成沟道区；步骤二、在所述栅极结构两侧自对准形成抬升式源漏结构，包括如下分步骤：步骤21、进行外延生长在所述栅极结构两侧的所述顶部半导体衬底表面形成种子层；步骤22、进行外延生长在所述种子层表面形成主体层，所述主体层为掺硼锗硅外延层，所述主体层的锗掺杂用于提升所述沟道区的应力并改善所述沟道区的载流子迁移率，所述主体层的锗掺杂浓度越高所述沟道区的应力越大；在所述主体层的外延生长过程中，所述主体层的锗掺杂浓度增加会抑制硼掺杂浓度的增加；步骤23、进行外延生长在所述主体层表面依次形成第一盖帽层和第二盖帽层；所述第一盖帽层为掺硼硅外延层，所述第二盖帽层为硅外延层；所述第一盖帽层的硼掺杂浓度大于所述主体层的硼掺杂浓度，所述第一盖帽层的硼杂质作为增加所述主体层的硼掺杂浓度的硼源；步骤24、进行热氧化工艺；所述热氧化工艺将所述第二盖帽层和所述第一盖帽层全部氧化，所述主体层未被氧化或者顶部部分厚度被氧化；所述热氧化工艺中，利用Si-O键结合能力强于Ge-O键的特点使所述热氧化工艺形成的顶部氧化层为二氧化硅；利用所述顶部氧化层作为顶部限制层以及所述绝缘介质埋层作为底部限制层，所述热氧化工艺的热过程还使所述第一盖帽层中的硼杂质扩散到所述主体层、所述种子层和所述顶部半导体衬底中，使得所述主体层、所述种子层和所述顶部半导体衬底的硼掺杂浓度增加，从而降低源漏电阻；步骤25、去除所述顶部氧化层；步骤26、进行外延生长在所述主体层表面形成第三盖帽层，所述第三盖帽层为掺硼硅外延层；由所述底部半导体衬底、所述种子层、所述主体层和所述第三盖帽层叠加形成所述抬升式源漏结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 FDSOI工艺中PMOS的抬升式源漏结构的制造方法

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