申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-06-15

公开（公告）日：2024-01-30

公开（公告）号：CN117480606A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：["20210629 US 17/362,746"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：一种MOSIC，包括：第一电路，该第一电路包括第一多个nMOS器件、第一p抽头单元和第一虚设nMOS单元；以及第二电路，该第二电路包括第一多个pMOS器件、第一虚设pMOS单元和第一n抽头单元。这些nMOS器件pMOS器件在第一方向上间隔开。该第一p抽头单元和该第一虚设nMOS单元在该第一方向上在这些nMOS器件之间彼此相邻。该第一虚设pMOS单元和该第一n抽头单元在该第一方向上在这些pMOS器件之间彼此相邻。这些pMOS器件在与该第一方向正交的第二方向上与这些nMOS器件相邻。该第一p抽头单元该第一虚设pMOS单元和该第一虚设nMOS单元该第一n抽头单元分别在该第二方向上彼此相邻。

主权项：1.一种金属氧化物半导体MOS集成电路IC，包括：第一电路，所述第一电路包括第一多个n型MOSnMOS器件、第一p型抽头p抽头单元和第一虚设nMOS单元，所述第一多个nMOS器件在第一方向上间隔开，所述第一p抽头单元和所述第一虚设nMOS单元在所述第一方向上在所述第一多个nMOS器件之间彼此相邻，所述第一p抽头单元被配置为耦接到第一电压源；和第二电路，所述第二电路包括第一多个p型MOSpMOS器件、第一虚设pMOS单元和第一n型抽头n抽头单元，所述第一多个pMOS器件在与所述第一方向正交的第二方向上与所述第一多个nMOS器件相邻，所述第一多个pMOS器件在所述第一方向上间隔开，所述第一虚设pMOS单元和所述第一n抽头单元在所述第一方向上在所述第一多个pMOS器件之间彼此相邻，所述第一n抽头单元被配置为耦接到第二电压源，所述第一p抽头单元和所述第一虚设pMOS单元在所述第二方向上彼此相邻，所述第一虚设nMOS单元和所述第一n抽头单元在所述第二方向上彼此相邻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 虚设单元和抽头单元布局结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD