申请/专利权人：德州仪器公司

申请日：2023-07-18

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN117497558A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L27/06;H01L21/762

优先权：["20220731 US 17/877,964"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.02#公开

摘要：一种电子器件100包括：半导体衬底102和半导体表面层106，该半导体衬底和该半导体表面层具有第一导电类型；以及掩埋层104；深沟槽结构120；以及浅沟槽隔离结构110，该半导体表面层在半导体衬底上方并且具有顶表面，该掩埋层具有相反的第二导电类型，处于半导体表面层与半导体衬底之间，该深沟槽结构包括：沟槽123，该沟槽延伸穿过半导体表面层并且延伸到掩埋层中；电介质衬里121，122，该电介质衬里在沟槽的侧壁上、从半导体表面层到掩埋层；以及多晶硅124，该多晶硅在电介质衬里上延伸并且将沟槽填充到半导体表面层一侧，该浅沟槽隔离结构延伸到半导体表面层中，并且浅沟槽隔离结构与深沟槽结构接触。

主权项：1.一种电子器件，包括：半导体衬底和半导体表面层，所述半导体衬底和所述半导体表面层具有第一导电类型，所述半导体表面层在所述半导体衬底上方并且具有顶表面；掩埋层，所述掩埋层具有相反的第二导电类型，处于所述半导体表面层与所述半导体衬底之间；深沟槽结构，所述深沟槽结构包括：沟槽，所述沟槽延伸穿过所述半导体表面层并且延伸到所述掩埋层中；电介质衬里，所述电介质衬里在所述沟槽的侧壁上、从所述半导体表面层到所述掩埋层；以及多晶硅，所述多晶硅在所述电介质衬里上延伸并且将所述沟槽填充到所述半导体表面层一侧；以及浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构延伸到所述半导体表面层中，所述浅沟槽隔离结构与所述深沟槽结构接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德州仪器公司 在浅沟槽隔离集成之后使用深沟槽隔离而实现的管芯大小减小和深沟槽密度增大

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