申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-01-25

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN111615756B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/20;H10N50/01;G11C11/16

优先权：["20180126 US 15/881,035"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.06#授权;2020.09.25#实质审查的生效;2020.09.01#公开

摘要：公开一种磁性穿隧结MTJ，其中自由层FL与第一金属氧化物垂直非等向性增强层及第二金属氧化物穿隧阻障的第一及第二界面各别产生垂直磁非等向性PMA以增加热稳定性。在一些实施例中，盖层为导电金属氮化物例如，MoN相对于第一界面接触垂直非等向性增强层的相反表面，相较于TiN盖层，减少氧及氮的相互扩散并保持可接受的电阻面积RA乘积。在其他实施例中，盖层可以包括绝缘氮化物，例如AlN，其与导电金属合金以最小化RA。此外，可以在盖层与垂直非等向性增强层之间插入金属缓冲层。因此，减少电性短路并且增加磁阻比。

主权项：1.一种垂直磁性穿隧结，包括：a一晶种层，在一基板上；b一钉扎层，在该晶种层上；c一穿隧阻障层，为一第一金属氧化物层；d一垂直非等向性增强层，为一第二金属氧化物层或一金属氮氧化物层；e一自由层，该自由层具有一第一表面与该穿隧阻障层形成一第一界面，该自由层具有一第二表面与该垂直非等向性增强层形成一第二界面，其中该第一界面及第二界面各别在该自由层中产生垂直磁非等向性；f一金属氮化物或金属氮氧化物盖层或阻障层，接触该垂直非等向性增强层与该第二界面相反的一侧；以及g一硬掩模，在该盖层或阻障层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 自旋力矩转移（STT）-磁性随机存取存储器（MRAM）之氮化物盖层

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