申请/专利权人：江苏科技大学

申请日：2023-10-17

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN117535746A

主分类号：C25D5/00

分类号：C25D5/00;C25D7/12;C25D3/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于直流电沉积制备111nt‑Cu薄膜的方法，所述方法为：在恒电流条件下，在对应电镀液中，在阴极基底表面电沉积得到111nt‑Cu薄膜；其中，以水作为溶剂，每升电镀液中，硫酸铜的浓度为1.0～1.5M、硫酸的浓度为0.4～0.6M、PEG的浓度为82～105ppm、GP的浓度为32～50ppm、NaCl的浓度为20～40ppm和MPS的浓度为200～400ppm。本发明能够在高电流密度下制备得到111nt‑Cu薄膜，并且镀层质量良好，表面光滑平整，沉积速率大幅度提高。

主权项：1.一种基于直流电沉积制备111nt-Cu薄膜的方法，其特征在于，所述方法为：在恒电流条件下，在对应电镀液中，在阴极基底表面电沉积得到111nt-Cu薄膜；其中，以水作为溶剂，每升电镀液中，硫酸铜的浓度为1.0～1.5M、硫酸的浓度为0.4～0.6M、PEG的浓度为82～105ppm、GP的浓度为32～50ppm、NaCl的浓度为20～40ppm和MPS的浓度为200～400ppm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏科技大学 基于直流电沉积制备（111）nt-Cu薄膜的方法

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