申请/专利权人：东北大学

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117548687A

主分类号：B22F10/28

分类号：B22F10/28;B22F10/50;B22F10/64;C22F1/02;C22F1/18;C22C14/00;B22F5/04;B33Y10/00;B33Y40/00;B33Y40/20;B33Y80/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明属于轻质耐高温金属材料增材制造技术领域，提出一种细晶全片层组织TiAl合金的电子束增材制造方法，包括如下步骤：S1、硼掺杂合金粉末的选区熔化；S2、凝固层的原位退火处理；S3、退火预处理；S4、全片层化热处理。本发明通过微量硼改进合金粉末、强化原位退火、双级退火后处理等三个工艺环节的科学控制，彻底抑制块状相变和防止形成粗晶组织，实现细晶全片层组织TiAl合金的电子束增材制造。本发明针对性地解决电子束增材制造TiAl合金过程生成粗大块状转变组织、带状组织和柱状晶组织的问题，成功实现高温高强度、室温高塑性的细晶TiAl合金的电子束增材制造。

主权项：1.一种细晶全片层组织TiAl合金的电子束增材制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、硼掺杂合金粉末进行电子束选区熔化；S2、选区熔化凝固层的原位退火处理；S3、基于步骤S2所得产物的退火预处理；S4、基于步骤S3所得产物的全片层化热处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东北大学 一种细晶全片层组织TiAl合金的电子束增材制造方法

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