申请/专利权人：无锡迈尔斯通集成电路有限公司

申请日：2022-12-13

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN116032216B

主分类号：H03B5/04

分类号：H03B5/04;H03B5/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.13#授权;2023.05.16#实质审查的生效;2023.04.28#公开

摘要：本发明涉及一种张弛振荡器，具体说是自偏置张弛振荡器。它包括电源VCC、比较器、电容C1、电阻R1、电流IB1、电流IB2、电流IB3和输出口VOUT。电源VCC与比较器适配连接。比较器的同相输入端与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端接地，电流IB1用于流入电阻R1产生基准电压VREF。比较器的反向输入端与电容C1正极相连，电容C1的负极接地，电流IB2用于为电容充电。比较器的输出端与输出口VOUT适配连接，电流IB3用于控制开关电路给电容放电。其特点是比较器的同相输入端对应的内部MOS管NM1为耗尽型MOS管，MOS管NM1的栅极接地，从而产生自偏置电流，形成电流IB1，进而自主产生基准电压VREF。该振荡器的结构简单，静态功耗较小，各工艺角高低温下误差较小。

主权项：1.一种基于耗尽管的自偏置张弛振荡器，包括电源VCC、比较器、电容C1、电阻R1、电流IB1、电流IB2、电流IB3和输出口VOUT；所述电源VCC与比较器适配连接，用于为比较器提供驱动电压；所述比较器的同相输入端与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端接地，所述电流IB1用于流入电阻R1产生基准电压VREF；所述比较器的反向输入端与电容C1正极相连，电容C1的负极接地，所述电流IB2用于为电容充电；所述比较器的输出端与所述输出口VOUT适配连接，所述电流IB3用于控制开关电路给电容放电，所述比较器根据基准电压VREF和电容C1的正极电压VC1的比较结果控制电容充放电，进而使输出口VOUT产生振荡信号；其特征在于所述比较器的同相输入端对应的内部MOS管NM1为耗尽型MOS管，MOS管NM1的栅极接地，从而产生自偏置电流，形成电流IB1，进而自主产生基准电压VREF；所述电流IB2和电流IB3均由电流镜复制电流IB1产生；所述比较器含有MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管NM2和所述MOS管NM1，MOS管NM2为耗尽型MOS管；所述MOS管PM1和MOS管PM2的源极均接电源VCC，MOS管PM1栅极与MOS管PM2的栅极相连，MOS管PM1栅极与漏极短接，MOS管PM1的漏极与MOS管NM1的漏极相连，MOS管NM1的源极即为所述比较器的同相输入端；所述MOS管PM2的漏极即为所述比较器的输出端，所述MOS管PM2的漏极与MOS管NM2的漏极相连，MOS管NM2的栅极接地，MOS管NM2的源极即为所述比较器的反相输入端；所述MOS管PM1和MOS管PM2形成第一电流镜复制电流IB1形成电流IB2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡迈尔斯通集成电路有限公司 一种基于耗尽管的自偏置张弛振荡器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD