申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913116A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H01L27/148

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明涉及CCD器件技术领域，具体涉及一种宽耗尽区的高灵敏CCD结构，包括多晶硅电极、栅介质、正面P型区、N型外延层、N型衬底、背面的重掺杂P型区；所述多晶硅电极只有一相，且工作时不加脉冲加直流偏压；所述的正面P型区在同一个像元里分为三个不同的区域，不同的区域由多晶硅间隔，工作时三个不同的区域加不同相位的驱动脉冲；本发明实施时根据应用的需要设置多个像元，像元的结构相同；本发明中通过背面重掺杂P型区加数百伏的反偏压，实现了N型衬底、N型外延层的全耗尽，可用于X射线、近红外的高灵敏成像。

主权项：1.一种宽耗尽区的高灵敏CCD结构，包括：多晶硅电极、绝缘层、正面P型区、N型外延层、N型衬底以及背面的重掺杂P型区；其特征在于，背面重掺杂P型区上依次沉积有N型衬底、N型外延层、绝缘层以及多晶硅电极，其中正面P型区嵌入到N型外延层中，且与绝缘层下表面接触；多晶硅电极为一相；N型衬底的厚度为500μm，N型外延层的厚度为6μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种宽耗尽区的高灵敏CCD结构

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