申请/专利权人：上海空间电源研究所

申请日：2023-10-20

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117577707A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/0216;H01L31/0693;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明涉及结区后置的InGaAs太阳电池及其制备方法，电池从上至下依次包括接触层、窗口层、发射区层、基区层、背场层和InP衬底；所述发射区层的厚度为1500nm～3500nm；所述基区层的厚度为50nm～100nm。本发明将器件的pn结结区置于器件尾端，将光学吸收带隙更宽的材料作为器件的基区，可有效减少结区内产生的载流子的数量，显著降低结区漏电流密度，提升器件的开路电压。

主权项：1.结区后置的InGaAs太阳电池，其特征在于，从上至下依次包括接触层、窗口层、发射区层、基区层、背场层和InP衬底；所述发射区层的厚度为1500nm～3500nm；所述基区层的厚度为50nm～100nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海空间电源研究所 结区后置的InGaAs太阳电池及其制备方法

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