申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2021-05-25

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN113314398B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L29/201;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.06#授权;2021.09.14#实质审查的生效;2021.08.27#公开

摘要：提供了一种在GaPSi衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaPSi衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InPInGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InPInGaAs超晶格结构缓冲层上生长形成InP缓冲层；在所述InP缓冲层上生长形成InGaAs薄膜。在本发明中，通过在GaPSi衬底上外延生长GaP缓冲层、InPInGaAs超晶格结构缓冲层以及InP缓冲层，可以获得高晶体质量的缓冲层，解决了Si衬底与InGaAs薄膜的晶格匹配问题，有效过滤衬底与InGaAs薄膜之间由于晶格失配引起的位错，较好的释放应力。

主权项：1.一种在GaPSi衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：在GaPSi衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InPInGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InPInGaAs超晶格结构缓冲层上生长形成InP缓冲层；在所述InP缓冲层上生长形成InGaAs薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法及InGaAs薄膜

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