申请/专利权人：西安唐晶量子科技有限公司

申请日：2022-07-07

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115189232B

主分类号：H01S5/343

分类号：H01S5/343

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.11.01#实质审查的生效;2022.10.14#公开

摘要：本发明公开了一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器，通过在缓冲层表面依次交替生长的第一势垒层、势阱层、隔断层、第二势垒层；其中，当生长隔断层时，在势阱层的表面先生长GaAs，由GaAs渐变为Al0.2Ga0.8As层，最后在Al0.2Ga0.8As层的表面生长第二势垒层，实现量子阱有源层与阱垒界面之间超薄渐变隔断层的添加；克服了量子阱有源层与阱垒界面模糊的问题，增大了自由载流子的微分复合效率，以提高外延片的量子效率，进而提高了半导体激光器的发光性能。

主权项：1.一种半导体激光器的外延片，包括：衬底1，以及依次层叠于所述衬底1上的缓冲层2、量子阱结构层、保护层7，其特征在于，所述量子阱结构层包括，在缓冲层2上依次交替层叠的第一势垒层3、势阱层4、隔断层5、第二势垒层6，所述保护层7层叠于最外侧势垒层6的表面；且所述第一势垒层3和第二势垒层6均为Al0.3Ga0.7As层；所述隔断层5由靠近势阱层4一侧的GaAs向第二势垒层6渐变为Al0.2Ga0.8As；所述第一势垒层3和第二势垒层6的厚度均为20nm；所述势阱层4为In0.13Ga0.87As层，所述In0.13Ga0.87As层的厚度为8nm，所述势阱层4的波长为930nm；所述缓冲层2为GaAs缓冲层，所述GaAs缓冲层的厚度为0.8um；所述保护层7为GaAs保护层，所述GaAs保护层的厚度为0.16um；所述隔断层5的厚度为3nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安唐晶量子科技有限公司 一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器

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