申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2023-09-07

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220788875U

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型提供了一种碳化硅生长装置和碳化硅生长炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅生长装置包括坩埚本体、坩埚盖和调温件，坩埚本体具有容纳腔，且坩埚本体的顶部设置有生长环，生长环内形成有与容纳腔连通的生长腔；坩埚盖设置在坩埚本体的顶部，并接合于生长环，且坩埚盖的底侧粘接有籽晶，籽晶容纳在生长腔中；调温件环设在生长环的周围，用于阻挡侧边热量传递到生长腔，以调整生长腔的轴向和径向温度梯度。相较于现有技术，本实用新型能够通过调温件阻挡侧边热量传递到生长腔，有效使得生长腔的轴向和径向温度梯度增大，合理地对生长温度梯度进行调控，使得温度梯度满足生长要求，保证碳化硅晶体生长的速度和质量。

主权项：1.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括：坩埚本体110，具有用于容纳碳化硅原料的容纳腔111，且所述坩埚本体110的顶部设置有生长环130，所述生长环130内形成有与所述容纳腔111连通的生长腔131；坩埚盖150，所述坩埚盖150设置在所述坩埚本体110的顶部，并接合于所述生长环130，且所述坩埚盖150的底侧粘接有籽晶151，所述籽晶151容纳在所述生长腔131中；调温件170，所述调温件170环设在所述生长环130的周围，用于阻挡侧边热量传递到所述生长腔131，以调整所述生长腔131的轴向和径向温度梯度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通威微电子有限公司 碳化硅生长装置和碳化硅生长炉

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