申请/专利权人：希科半导体科技(苏州)有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117438348B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/02;C23C16/32;C23C16/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种外延生长控制方法，包括：选取外延片上的若干测量点；获取前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，n为大于2的整数；根据前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，确定各所述测量点对应的各浓度贡献系数，所述浓度贡献系数为与测量点的气体掺杂浓度相关的因素对测量点的气体掺杂浓度的影响系数；根据各所述测量点对应的各浓度贡献系数，确定外延生长过程中所需的掺杂气体量。通过对在前几次外延生长过程中的数据进行分析，及时调整最新外延生长过程中的掺杂气体量，以提高外延片的浓度均一性，提高良率。

主权项：1.一种外延生长控制方法，其特征在于，包括：选取外延片上的若干测量点；获取前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，n为大于2的整数，所述气体掺杂浓度具有若干个影响因素，每个所述影响因素对所述气体掺杂浓度的影响程度通过浓度贡献系数表征；根据前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度、各影响因素以及各个影响因素对应的浓度贡献系数之间的关系，确定各所述测量点对应的各浓度贡献系数，所述浓度贡献系数为与测量点的气体掺杂浓度相关的因素对测量点的气体掺杂浓度的影响系数；根据各所述测量点对应的各浓度贡献系数，确定外延生长过程中所需的掺杂气体量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 希科半导体科技(苏州)有限公司 外延生长控制方法

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