申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
申请日:2024-03-15
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN117894898A
主分类号:H01L33/14
分类号:H01L33/14;H01L33/32;H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.04.16#公开
摘要:本发明公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED,涉及半导体技术领域。所述深紫外LED外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层,所述有源层包括周期性交替层叠的量子阱层和复合量子垒层;所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层,所述第一量子垒子层包括依次层叠的第一AlGaN层和AlN层,所述第二量子垒子层包括依次层叠的Ga2O3层和GaN层,所述第三量子垒子层包括依次层叠的AlGa2O3层和第二AlGaN层。本发明的结构能够提高有源层的晶体质量,降低极化效应的同时提高局域效应,从而提升深紫外LED的发光效率。
主权项:1.一种深紫外LED外延片,其特征在于,包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层,所述有源层包括周期性交替层叠的量子阱层和复合量子垒层;所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层,所述第一量子垒子层包括依次层叠的第一AlGaN层和AlN层,所述第二量子垒子层包括依次层叠的Ga2O3层和GaN层,所述第三量子垒子层包括依次层叠的AlGa2O3层和第二AlGaN层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江西兆驰半导体有限公司 深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED
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