申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2022-01-19

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114421283B

主分类号：H01S5/30

分类号：H01S5/30;H01S5/34;H01S5/343;H01L31/0304;H01L31/0352

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.05.20#实质审查的生效;2022.04.29#公开

摘要：本发明公开了一种双掺杂量子点有源区外延结构及其制备方法和应用，双掺杂量子点有源区外延结构量子点有源区被配置为周期性的双掺杂量子点叠层结构，量子点有源区包括：周期排列的n型掺杂层以及p型掺杂层；其中，p型掺杂层与所述n型掺杂层发生协同作用，第一隔层，设置在周期排列的n型掺杂层和p型掺杂层之间；第二隔层，设置在p型掺杂层的另一侧，另一侧与所述第一隔层所在一侧不同；第一隔层或第二隔层用于提供应力调控或应力缓解，本发明通过空间分离的交替掺杂的结构，降低载流子的损耗，提高材料的光学质量；改善量子点导带和价带准费米能级移动的不对称性，提升材料峰值增益和微分增益。

主权项：1.一种双掺杂量子点有源区外延结构，所述量子点有源区被配置为周期性的双掺杂量子点叠层结构，所述量子点有源区包括：周期排列的n型掺杂层以及p型掺杂层，n型掺杂层与p型掺杂层之间设置有第一隔层，n型掺杂层的掺杂浓度为0.0001-5×1019cm-3，p型掺杂层的掺杂浓度为0.0001-5×1019cm-3；其中，所述n型掺杂层包括未掺杂的第一量子点层、未掺杂的第三量子点层以及位于所述第一量子点层和所述第三量子点层之间的n型掺杂的第二量子点层，所述p型掺杂层与所述n型掺杂层发生协同作用。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 双掺杂量子点有源区外延结构及其制备方法和应用

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