申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117889760A

主分类号：G01B11/06

分类号：G01B11/06

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本公开涉及一种测量外延层厚度的方法、系统及存储介质，该方法包括以下步骤：S1：获取至少三个数据点，所述至少三个数据点用于表征外延层厚度测量干涉图谱的侧突峰；S2：利用所述至少三个数据点拟合出表征所述侧突峰的二次函数；S3：计算所述二次函数的极值点，以将所述极值点作为所述侧突峰上表征外延层厚度的数据点来确定所述外延层厚度。通过这种方法、系统及存储介质，能够减少由外延层与衬底的界面处的过渡区浓度梯度引起的测量结果波动，使得测量结果更加准确。

主权项：1.一种测量外延层厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：获取至少三个数据点，所述至少三个数据点用于表征外延层厚度测量干涉图谱的侧突峰；利用所述至少三个数据点拟合出表征所述侧突峰的二次函数；以及计算所述二次函数的极值点，以将所述极值点作为所述侧突峰上表征外延层厚度的数据点来确定所述外延层厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 测量外延层厚度的方法、系统及存储介质

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