申请/专利权人：埃特曼(厦门)光电科技有限公司

申请日：2023-09-22

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220788877U

主分类号：C30B25/02

分类号：C30B25/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本申请涉及一种分子束外延设备的源炉及分子束外延设备，属于半导体外延技术领域。包括：炉体，包括有顶部开口的加热腔；加热部件，设置于加热腔的底部或侧壁，以提高加热腔的温度；热电偶，配置为测量加热腔的温度；热电偶的测量端接触加热腔的外底壁或外侧壁；隔离保护结构，包覆热电偶，以隔离热电偶与腐蚀源接触；腐蚀源为分子束外延设备中的腐蚀性气体或液体。本申请的技术方案，能更精确地控制束流的强度。

主权项：1.一种分子束外延设备的源炉，其特征在于，包括：炉体，包括有顶部开口的加热腔；加热部件，设置于所述加热腔的底部或侧壁，以提高所述加热腔的温度；热电偶，配置为测量所述加热腔的温度；所述热电偶的测量端接触所述加热腔的外底壁或外侧壁；隔离保护结构，包覆所述热电偶，以隔离所述热电偶与腐蚀源接触；所述腐蚀源为分子束外延设备中的腐蚀性气体或液体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 埃特曼(厦门)光电科技有限公司 分子束外延设备的源炉及分子束外延设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD