申请/专利权人：苏州焜原光电有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-01-30

公开（公告）号：CN117476816A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/203

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本发明提供了一种分子束外延生长InGaAsInP的界面处理方法，用以在InP材料上生长InGaAs外延层以及在InGaAs材料上生长InP外延层，本发明所述的分子束外延生长InGaAsInP的界面处理方法，通过引入薄InP或InGaAs层，将富PAs界面快速切换到富AsP界面，避免了长时间As或P保护产生界面层或引入腔体本底杂质等问题，降低了材料层内部由于大失配造成的缺陷，由此极大程度提高了器件的电学性能及稳定性。

主权项：1.一种分子束外延生长InGaAsInP的界面处理方法，用以在InP材料上生长InGaAs外延层以及在InGaAs材料上生长InP外延层，其特征在于：在InP材料上生长InGaAs外延层包括如下步骤：S1、关闭In炉快门，同时在P束流保护下将As炉开启至目标阀位；S2、开启As炉快门、关闭P炉快门，同时将P炉阀位减小到0，维持此环境条件第一预设时间；S3、打开In炉快门及Ga炉快门，并开始生长第一InGaAs层，其中，所述第一InGaAs层为第一预设厚度；S4、关闭In炉快门及Ga炉快门，在As束流作用下保护所述第一InGaAs层第二预设时间；S5、再次打开In炉快门及Ga炉快门，并开始生长第二InGaAs层，其中，所述第二InGaAs层为第二预设厚度；S6、再次关闭In炉快门及Ga炉快门，在As束流作用下保护所述第二InGaAs层第三预设时间；S7、重复步骤S5及步骤S6，直至P元素降低至第一目标含量；S8、打开In炉快门及Ga炉快门，并在此条件下生长InGaAs层至第一目标厚度；在InGaAs材料上生长InP外延层包括如下步骤：a、关闭In炉快门和Ga炉快门，同时在As束流保护下将P炉开启至目标阀位；b、开启P炉快门、关闭As炉快门，同时将As炉阀位减小到0，维持此环境条件第四预设时间；c、打开In炉快门，并开始生长第一InP层，其中，所述第一InP层厚度为第三预设厚度；d、关闭In炉快门，在P束流作用下保护所述第一InP层第五预设时间；e、再次打开In炉快门，并开始生长第二InP层，其中，所述第二InP层为第四预设厚度；f、再次关闭In炉快门，在P束流作用下保护所述第二InP层第六预设时间；g、重复步骤e及步骤f，直至As元素降低至第二目标含量；h、打开In炉快门，并在此条件下生长InP层至第二目标厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州焜原光电有限公司 分子束外延生长InGaAs/InP的界面处理方法

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