申请/专利权人：河南承明光电新材料股份有限公司

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691470A

主分类号：H01S5/22

分类号：H01S5/22;H01S5/343

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及一种InP基半导体激光器的制作方法，包括在InP衬底上生长含Al的量子阱材料，并划分出激光器区和无源波导区；去除无源波导区的量子阱材料；在无源波导区的InP衬底上对接生长含Al的刻蚀停止层材料、InP间隔层材料以及无源波导材料；在激光器区的量子阱材料上以及无源波导区的无源波导材料上生长包层InP材料；在包层InP材料上覆上掩膜条；采用ICP刻蚀技术以CH4H2O2的气氛组合对激光器区和无源波导区进行刻蚀，激光器区的刻蚀停止于量子阱材料而形成潜脊波导，无源波导区的刻蚀停止于刻蚀停止层材料而形成深脊波导。本发明可在单次ICP刻蚀中同时形成激光器区的潜脊波导及无源波导区的深脊波导，从而简化制作工艺，降低器件的制作复杂度。

主权项：1.一种InP基半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、在InP衬底（1）上生长含Al的量子阱材料（2），并划分出激光器区（10）和无源波导区（11）；S2、去除无源波导区（11）的量子阱材料（2）；S3、在无源波导区（11）的InP衬底（1）上依次对接生长含Al的刻蚀停止层材料（3）、InP间隔层材料（4）以及无源波导材料（5）；S4、在激光器区（10）的量子阱材料（2）上以及无源波导区（11）的无源波导材料（5）上生长同一个包层InP材料（6）；S5、在包层InP材料（6）上覆上掩膜条（7）；S6、采用ICP刻蚀技术以CH4H2O2的气氛组合对激光器区（10）和无源波导区（11）进行刻蚀，在掩膜条（7）的配合下制作脊型波导，刻蚀完成后，激光器区（10）的刻蚀停止于量子阱材料（2）而形成潜脊波导（8），无源波导区（11）的刻蚀停止于刻蚀停止层材料（3）而形成深脊波导（9）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河南承明光电新材料股份有限公司 一种InP基半导体激光器的制作方法

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