申请/专利权人：杭州泽达半导体有限公司

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810067A

主分类号：H01L21/205

分类号：H01L21/205;C30B25/18;C30B29/40;C30B33/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种在砷化镓衬底上生长InP薄膜的方法，应用于InP薄膜制备技术领域以砷化镓为衬底生长InP薄膜，可以极大的降低InP薄膜制备时所花费的成本；使用砷化镓衬底生长GaxIn1‑xP层，当x＜0.5时，GaxIn1‑xP相对砷化镓衬底会产生压应力，再生长AlxIn1‑xP层，当x＜0.5时，AlxIn1‑xP相对砷化镓衬底会产生张应力，交替生长GaxIn1‑xP层与AlxIn1‑xP层则可以使得应力缓冲层中应力平衡从而消除应力，再逐步降低GaxIn1‑xP层中镓组分以及AlxIn1‑xP层中铝组分，可以最终趋向生长成InP层。

主权项：1.一种在砷化镓衬底上生长InP薄膜的方法，其特征在于，包括：基于砷化镓衬底生长应力缓冲层；所述应力缓冲层包括沿法线生长的应力缓冲单元，所述应力缓冲单元包括至少一层GaxIn1-xP层以及至少一层生长AlxIn1-xP层；所述应力缓冲层中所述GaxIn1-xP层与所述AlxIn1-xP层交替设置，沿所述法线指向远离所述砷化镓衬底一侧方向，多层所述GaxIn1-xP层之间镓组分依次降低，多层所述AlxIn1-xP层之间铝组分依次降低；在所述应力缓冲层背向所述砷化镓衬底一侧表面生长InP层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州泽达半导体有限公司 一种在砷化镓衬底上生长InP薄膜的方法

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