申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2021-12-17

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114220893B

主分类号：H01L33/22

分类号：H01L33/22;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.04.08#实质审查的生效;2022.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种蓝宝石衬底的刻蚀方法，涉及半导体技术领域。一种蓝宝石衬底的刻蚀方法包括：掩膜形成步骤，在蓝宝石衬底的表面形成光刻胶掩膜图形；第一刻蚀步骤，通入第一刻蚀气体刻蚀蓝宝石衬底和光刻胶掩膜图形，使蓝宝石衬底上初步形成所需的图形轮廓，同时在光刻胶掩膜图形的侧壁形成拐角；第二刻蚀步骤，通入第二刻蚀气体刻蚀光刻胶掩膜图形，去除拐角并修直光刻胶掩膜图形的侧壁；循环第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，直到光刻胶掩膜图形完全去除；第三刻蚀步骤，通入第三刻蚀气体，并施加比第一刻蚀步骤高的下电极功率，获得具有圆锥状凸起结构的蓝宝石衬底。本申请能够解决PSS衬底侧壁弧度大导致芯片亮度降低的问题。

主权项：1.一种蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括以下步骤：掩膜形成步骤，在蓝宝石衬底的表面形成具有多个柱状凸起结构的光刻胶掩膜图形，所述柱状凸起结构的截面为圆形；第一刻蚀步骤，通入第一刻蚀气体刻蚀所述蓝宝石衬底和所述光刻胶掩膜图形，使所述蓝宝石衬底上初步形成所需的图形轮廓，同时在所述光刻胶掩膜图形的侧壁形成拐角；第二刻蚀步骤，通入第二刻蚀气体刻蚀所述光刻胶掩膜图形，用以去除所述拐角，修直所述光刻胶掩膜图形的侧壁，其中，所述第二刻蚀气体为Cl2或O2；循环所述第一刻蚀步骤和所述第二刻蚀步骤，直到所述光刻胶掩膜图形完全去除；第三刻蚀步骤，通入第三刻蚀气体，并施加比所述第一刻蚀步骤高的下电极功率刻蚀所述蓝宝石衬底，通过物理轰击作用获得具有圆锥状凸起结构的蓝宝石衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 蓝宝石衬底的刻蚀方法

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