申请/专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2021-10-31

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114039273B

主分类号：H01S5/026

分类号：H01S5/026;H01S5/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.01.05#专利申请权的转移;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开

摘要：本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。

主权项：1.一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，其特征在于，包括自上而下依次设置的激光器外延层薄膜1、耦合层2、薄膜铌酸锂光波导3和衬底4；所述InP基激光器外延层薄膜1包括上掺杂层1-1、量子阱层1-2和下掺杂层1-3，下掺杂层1-3出光端面为锥形结构；所述薄膜铌酸锂光波导3包括自上而下设置的薄膜铌酸锂光波导芯层3-1和薄膜铌酸锂光波导下包层3-2；所述InP基激光器外延层薄膜1通过耦合层2集成于薄膜铌酸锂光波导芯层3-1正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的薄膜铌酸锂光波导3中传输；所述薄膜铌酸锂光波导芯层3-1为脊型光波导结构，薄膜铌酸锂光波导芯层3-1两侧含有薄膜铌酸锂平板层；或者所述薄膜铌酸锂光波导芯层3-1为矩形光波导结构。

全文数据：

权利要求：

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