申请/专利权人:北京航空航天大学
申请日:2024-03-13
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN117891090A
主分类号:G02F1/03
分类号:G02F1/03;G02B6/125;G02B6/12
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开
摘要:本发明公开了一种调制接收用铌酸锂薄膜集成芯片及其工作方法,属于光学技术领域,芯片包括本体,本体从下到上依次设置的基底层、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜层以及二氧化硅上包层,包括沿光路依次布置在本体内的光分束器、光调制器以及光探测器,光分束器、光调制器以及光探测器通过铌酸锂脊波导结构进行光互联。采用上述结构的一种调制接收用铌酸锂薄膜集成芯片及其工作方法,实现了芯片一致性和整体结构的小型化,并保证了各器件的具有与分立器件相当的较高性能。
主权项:1.一种调制接收用铌酸锂薄膜集成芯片,包括本体,本体从下到上依次设置的基底层、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜层以及二氧化硅上包层,其特征在于:包括沿光路依次布置在本体内的光分束器、光调制器以及光探测器,光分束器、光调制器以及光探测器通过铌酸锂脊波导结构进行光互联。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 北京航空航天大学 一种调制接收用铌酸锂薄膜集成芯片及其工作方法
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