申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117089932B

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;C30B23/00;C23C14/06;C23C14/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.12.08#实质审查的生效;2023.11.21#公开

摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生产领域，包括坩埚、籽晶固定机构及籽晶，籽晶固定机构包括支撑板，支撑板设置于坩埚内且开设有避位孔和与避位孔连通的通气槽，通气槽贯穿避位孔的内表面和支撑板的上表面，籽晶支撑于支撑板的上表面，籽晶遮盖避位孔的全部和通气槽的局部，以使流动至避位孔边缘的气相长晶组分通过通气槽穿过支撑板。通过设置通气槽导通籽晶的下表面与避位孔的内表面之间的夹角与支撑板的上方空间，使得气相长晶组分在向上流动至该夹角处时，可以通过通气槽穿过支撑板而不会在夹角处富集，从而降低晶体在籽晶边缘的生长速率，避免晶体局部形成“凹界面”和多晶生长，提高晶体的生长质量。

主权项：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚100，所述坩埚100的底部用于盛装碳化硅粉料400；籽晶固定机构200，所述籽晶固定机构200包括支撑板210，所述支撑板210设置于所述坩埚100内且开设有避位孔212和与所述避位孔212连通的通气槽214，所述通气槽214贯穿所述避位孔212的内表面和所述支撑板210的上表面；籽晶300，所述籽晶300支撑于所述支撑板210的上表面，所述籽晶300遮盖所述避位孔212的全部和所述通气槽214的局部，以使流动至所述避位孔212边缘的气相长晶组分通过所述通气槽214穿过所述支撑板210；所述支撑板210呈环形，所述支撑板210的内孔形成所述避位孔212，所述通气槽214的数量为多个且沿所述支撑板210的圆周方向均匀间隔排布，所述通气槽214的底壁为倾斜平面215且从所述支撑板210的上表面延伸至所述避位孔212的内表面。

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权利要求：

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