申请/专利权人：深圳大学

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117577679A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明提出一种基于低温键合的单片异质集成的Cascode结构氮化镓HEMT功率器件及其制备方法，包括：相接的GaN高电子迁移率晶体管和柔性二维场效应晶体管，GaN高电子迁移率晶体管包括依次叠加设置的衬底、GaN缓冲层以及AlGaN势垒层，GaN缓冲层位于衬底和AlGaN势垒层之间，AlGaN势垒层沿朝向GaN缓冲层方向开设有贯穿的隔离槽将AlGaN势垒层分隔成第一部分和第二部分，第一部分的表面镀有第一金属层，柔性二维场效应晶体管包括柔性衬底，柔性衬底的表面镀有第二金属层且与第一金属层键合连接。在柔性二维场效应晶体管的制备方法中，柔性衬底经由低温剥离工序后再进行镀第二金属层的操作，并与第一金属层进行键合，降低了材料高生长温度引起的材料失效问题，减少了封装的复杂性。

主权项：1.一种基于低温键合的单片异质集成的Cascode结构氮化镓HEMT功率器件，其特征在于，包括：相接的GaN高电子迁移率晶体管和柔性二维场效应晶体管；其中，所述GaN高电子迁移率晶体管包括依次叠加设置的衬底、GaN缓冲层以及AlGaN势垒层，所述GaN缓冲层位于所述衬底和所述AlGaN势垒层之间，所述AlGaN势垒层沿朝向所述GaN缓冲层方向开设有贯穿的隔离槽且所述AlGaN势垒层被分隔成第一部分和第二部分，所述第一部分的表面镀有第一金属层，所述第二部分上设有依次叠加设置的栅介电层和栅电极，所述栅介电层的两端还设有所述GaN高电子迁移率晶体管的源电极和漏电极，所述柔性二维场效应晶体管包括柔性衬底，所述柔性衬底的表面镀有第二金属层且与所述第一金属层键合连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳大学 基于低温键合的单片异质集成的Cascode结构氮化镓HEMT功率器件及其制备方法

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