申请/专利权人：广东省科学院新材料研究所

申请日：2021-12-21

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN114235867B

主分类号：G01N23/2005

分类号：G01N23/2005;G01N23/203

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.20#授权;2022.04.12#实质审查的生效;2022.03.25#公开

摘要：本发明公开了一种纳米陶瓷涂层EBSD表征试样及其制备方法、检测方法。通过采用导电薄膜对纳米陶瓷涂层试样的表面整体包覆，并在纳米陶瓷涂层试样外部设置导电抽头，再对包覆了导电薄膜的纳米陶瓷涂层试样进行镶嵌、研磨和抛光得到纳米陶瓷涂层EBSD表征试样。该纳米陶瓷涂层EBSD表征试样通过导电薄膜将采集时的电荷积累导走，在EBSD扫描时直接采集纳米陶瓷涂层信号，完成纳米陶瓷涂层的EBSD微观晶体结构表征。有效规避传统制样方法在EBSD检测表面层喷碳，因碳膜厚度无法精确控制导致EBSD无法采集的问题。

主权项：1.一种纳米陶瓷涂层EBSD表征试样的制备方法，其特征在于，包括：采用导电薄膜对纳米陶瓷涂层试样的表面整体包覆，所述导电薄膜对所述纳米陶瓷涂层试样的包覆为密缠绕，所述密缠绕包括将次层导电薄膜与前层导电薄膜搭接，并使导电薄膜与涂层之间紧密贴合；所述纳米陶瓷涂层试样是在金属基体上采用喷涂或真空镀膜方式获得的纳米陶瓷涂层，所述导电薄膜的厚度为1-100μm；将导电薄膜整体包覆于纳米陶瓷涂层试样表面后，剩余的且伸出于所述纳米陶瓷涂层试样外部的导电薄膜为导电抽头，所述导电抽头的长度大于2mm；将具有导电抽头的纳米陶瓷涂层试样进行镶嵌，所述镶嵌为冷镶嵌，所述导电抽头被引出至远离所述纳米陶瓷涂层试样的待测面一端的镶嵌材料外部；对镶嵌得到的纳米陶瓷涂层试样的待测面进行研磨和抛光；覆盖所述待测面的导电薄膜被研磨去除，且抛光面位于导电抽头的背面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东省科学院新材料研究所 纳米陶瓷涂层EBSD表征试样及其制备方法、检测方法

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