申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-07-07

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117074894B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;G01N21/55;G01J5/48

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.12.05#实质审查的生效;2023.11.17#公开

摘要：本发明涉及一种基于热反射成像技术的瞬态工况热电特性表征系统和方法，该系统包括：动态电参数测试系统和热反射成像系统，其中，动态电参数测试系统用于为被测器件提供多种瞬态工况，并实时采集被测器件在不同瞬态工况下电参数；热反射成像系统根据材料在不同温度下表面反射率不同，实时采集被测器件在不同瞬态工况下的表面反射率，得到不同瞬态工况下被测器件表面温度分布情况。本发明解决了硅和超宽禁带半导体功率器件瞬态工况下同步热电特性表征方法缺乏的问题，为揭示瞬态工况下硅和超宽禁带半导体功率器件在实际工作过程中的热电耦合特性及机理提供更多的过程热特性细节和事实依据。

主权项：1.一种基于热反射成像技术的瞬态工况热电特性表征系统，其特征在于，包括：动态电参数测试系统和热反射成像系统，其中，所述动态电参数测试系统与所述热反射成像系统连接；所述动态电参数测试系统用于为被测器件提供多种瞬态工况，并实时采集所述被测器件在不同瞬态工况下电参数；所述热反射成像系统根据材料在不同温度下表面反射率不同，实时采集所述被测器件在不同瞬态工况下的表面反射率，得到不同瞬态工况下、不同时刻对应的所述被测器件的表面实时温度和温度分布情况；所述热反射成像系统包括，信号产生模块、CCD模块、LED光源模块和数据处理模块，其中，所述信号产生模块，用于产生器件偏置信号、CCD信号和LED脉冲信号；响应于接收到所述器件偏置信号，所述动态电参数测试系统控制所述被测器件工作在瞬态工况下，同时实时测量所述被测器件的电压和电流；响应于接收到所述LED脉冲信号，所述LED光源模块发出测量光波聚焦至所述被测器件表面；响应于接收到所述CCD信号，所述CCD模块采集所述被测器件的表面反射的光数据，将采集的光数据发送至所述数据处理模块；所述数据处理模块对所述光数据进行处理，得到所述被测器件的表面实时温度分布图像。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 基于热反射成像技术的瞬态工况热电特性表征系统和方法

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