申请/专利权人：哈尔滨工程大学

申请日：2023-12-05

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117586010A

主分类号：C04B35/50

分类号：C04B35/50;C04B35/622;H05K9/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法和应用，它涉及ABO3型钙钛矿材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有方法制备的A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法单一，作为吸波材料使用时，吸波效果差的问题。不同于传统的溶胶‑凝胶而后高温煅烧的制备方法，本发明通过控制MOF基体水解过程，而后经高温煅烧，获得钙钛矿材料，并将其作为吸波材料应用于电磁波吸收领域。本发明制备的MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料作为吸波材料使用时，在11GHz处获得‑62.6dB的反射损耗值，此时材料厚度仅为2.08mm。而当材料厚度为5mm时，其吸收频带可低至4GHz，可具有‑34dB的反射损耗值。

主权项：1.MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：一、制备MOF基体：①、将钴盐溶解到DMF中，得到钴盐溶液；②、将均苯三甲酸溶解到DMF中，得到均苯三甲酸溶液；③、将钴盐溶液和均苯三甲酸溶液混合，搅拌，得到混合溶液；将混合溶液进行水热反应，得到反应产物；对反应产物进行清洗，再真空干燥，得到MOF基体；二、制备外覆氢氧化物沉淀的MOF基复合材料：①、将两种ABO3型钙钛矿的A位元素的硝酸盐溶解到去离子水中，得到混合溶液Ⅰ；步骤二①中所述的两种ABO3型钙钛矿的A位元素的硝酸盐为LaNO33·6H2O、SmNO33·6H2O、CrNO33·9H2O和BiNO33·5H2O中的两种；②、将MOF基体分散到去离子水中，得到混合溶液Ⅱ；③、将混合溶液Ⅰ和混合溶液Ⅱ混合均匀，得到混合溶液；静置一段时间，收集沉淀物质；使用乙醇对沉淀物质进行清洗，再真空干燥，得到外覆氢氧化物沉淀的MOF基复合材料；三、高温煅烧：在氩气环境下将外覆氢氧化物沉淀的MOF基复合材料升温至600℃～1000℃，再在600℃～1000℃下保温一段时间，得到MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工程大学 MOF衍生A位掺杂的ABO₃型钙钛矿材料的制备方法和应用

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